滁州捷泰新能源科技有限公司邢肖肖获国家专利权
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龙图腾网获悉滁州捷泰新能源科技有限公司申请的专利一种背面局部掺杂的TBC电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223452349U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422668282.4，技术领域涉及：H10F77/1223；该实用新型一种背面局部掺杂的TBC电池是由邢肖肖;宋怡潇;武会会;张凯设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背面局部掺杂的TBC电池在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种背面局部掺杂的TBC电池，属于TBC电池领域，通过在硅片背面交替排列设置且P+区域和N+区域之间存在间隔区域，其中在P+区域还设置有P++重掺杂多晶硅层和P+轻掺杂多晶硅层或在N+区域设置有N++重掺杂多晶硅层和N+轻掺杂多晶硅层，形成重掺杂区域和轻掺杂区域，可有效提高TBC电池的光电转换效率，且工艺相对简单，成本增加较少，控制难度低。
本实用新型一种背面局部掺杂的TBC电池在权利要求书中公布了：1.一种背面局部掺杂的TBC电池，其特征在于，包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的正面从内到外依次包括正面钝化层和正面减反射层；所述晶硅衬底的背面表面设置有交替排列的P+区域和N+区域且所述P+区域和所述N+区域之间存在间隔区域，所述P+区域在所述晶硅衬底的背面表面从内到外依次包括电介质层、P+掺杂多晶硅层、背面减反射层和第一电极，所述N+区域在所述晶硅衬底的背面表面从内到外依次包括电介质层、N+区域掺杂多晶硅层、背面减反射层和第二电极； 所述N+区域掺杂多晶硅层包括N+轻掺杂多晶硅层和N++重掺杂多晶硅层，且所述N++重掺杂多晶硅层的表面浓度大于所述N+轻掺杂多晶硅层的表面浓度；所述第一电极穿透所述背面减反射层与所述P+掺杂多晶硅层形成欧姆接触，所述第二电极穿透所述背面减反射层与所述N++重掺杂多晶硅层形成欧姆接触。
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