常州时创能源股份有限公司任常瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉常州时创能源股份有限公司申请的专利一种N型晶体硅TOPCon电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223452351U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202222561007.3，技术领域涉及：H10F77/20；该实用新型一种N型晶体硅TOPCon电池是由任常瑞;孙海杰;杨松波;李金;董建文;符黎明设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种N型晶体硅TOPCon电池在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种N型晶体硅TOPCon电池，包括硅衬底、正面金属电极、背面金属电极，以及沿所述硅衬底正面方向依次设置正面选择性发射极、正面减反钝化层，沿所述硅衬底背面方向依次设置TOPCon钝化接触结构、背面选择性发射极、背面减反钝化层。本实用新型利用选择性发射极与TOPCon电池的双重优势，所述硅衬底正面具备选择性发射极结构，背面具备TOPCon钝化接触结构和选择性发射极结构，TOPCon钝化接触结构加双选择性发射极结构结合，可明显降低正背面的金属接触电阻及光生载流子在电池正背面的复合损失、提升开路电压和填充因子，有效地提升电池转换效率。
本实用新型一种N型晶体硅TOPCon电池在权利要求书中公布了：1.一种N型晶体硅TOPCon电池，其特征在于，包括硅衬底，沿所述硅衬底正面方向依次设置正面选择性发射极、正面减反钝化层，沿所述硅衬底背面方向依次设置TOPCon钝化接触结构、背面选择性发射极、背面减反钝化层；还包括，与所述正面选择性发射极形成欧姆接触的立体化的正面金属电极，以及与所述背面选择性发射极形成欧姆接触的立体化的背面金属电极；所述TOPCon钝化接触结构为隧穿氧化层加掺杂多晶硅层，所述TOPCon钝化接触结构即作为所述N+层，所述掺杂多晶硅层为掺杂薄膜多晶硅层,厚度为120-180nm；所述背面选择性发射极包括N+层和位于N+层金属化区域的图形化N++层，所述N++层的图形与所述背面金属电极印刷图形相对应；所述正面选择性发射极包括P+层和位于所述P+层金属化区域的图形化P++层，所述P++层的图形与所述正面金属电极印刷图形相对应。
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