台湾积体电路制造股份有限公司林祐宽获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109585528B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811063125.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置结构是由林祐宽;杨昌达;王屏薇设计研发完成，并于2018-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：一种半导体装置结构，其包括一半导体基底，具有一阱拾取区及一主动区。阱拾取区及主动区各自包括具有不同导电型的一第一阱区及一第二阱区。第一阱区与第二阱区之间具有阱区边界。一第一鳍部结构位于阱拾取区的第一阱区内，而多个第二鳍部结构位于主动区的第一阱区内。阱区边界与第一鳍部结构之间的最小距离大于阱区边界与多个第二鳍部结构中最靠近阱区边界的一者之间的最小距离。
本发明授权半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，包括︰ 一半导体基底，具有一阱拾取区及一主动区，其中该阱拾取区及该主动区内各自包括具有一第一导电型的一第一阱区及具有与该第一导电型相反的一第二导电型的一第二阱区邻近于该第一阱区，使一阱区边界位于该第一阱区与该第二阱区之间； 一第一鳍部结构，位于该阱拾取区的该第一阱区内；以及 多个第二鳍部结构，位于该主动区的该第一阱区内； 其中该第一鳍部结构与该阱区边界隔开一第一距离，该多个第二鳍部结构中最靠近该阱区边界的一者与该阱区边界隔开一第二距离，而该第一距离大于该第二距离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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