台湾积体电路制造股份有限公司连建洲获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110416083B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910185703.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权形成半导体装置的方法是由连建洲;陈立民;杨能杰;叶明熙;林舜武;黄国彬设计研发完成，并于2019-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体装置的方法在说明书摘要公布了：采用蚀刻剂移除半导体材料。在一些实施例中，将氧化剂添加到蚀刻剂中，以与周围的半导体材料反应并形成保护层。使用保护层有助于避免蚀刻剂中的其它成分造成的损伤。
本发明授权形成半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体装置的方法，其中，其包括： 形成一虚置闸极于一半导体鳍状物上；以及 以一第一蚀刻溶液自该半导体鳍状物上移除该虚置闸极，该第一蚀刻溶液扩散穿过该虚置闸极以形成一保护区于一源极漏极区的一部分上， 并且，该第一蚀刻溶液包括：一溶剂、在该溶剂中的一第一蚀刻剂且该第一蚀刻剂包括强碱与弱碱、以及在该溶剂中的一氧化剂。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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