珠海格力电器股份有限公司梁赛嫦获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉珠海格力电器股份有限公司申请的专利一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110808235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810884478.3，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构及其制作方法是由梁赛嫦;马颖江;史波;江伟设计研发完成，并于2018-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体管封装技术领域，公开了一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构及其制作方法，该沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构包括：沟槽型绝缘栅双极型晶体管，沟槽型绝缘栅双极型晶体管包括与发射极电连接的发射极金属层以及位于发射极金属层一侧的沟槽型栅极；引线框架，引线框架包括用于固定沟槽型绝缘栅双极型晶体管的芯片放置区以及发射极引出端；连接发射极金属层与发射极引脚的第一焊线，第一焊线一端与发射极金属层背离沟槽型栅极的表面连接形成条形的第一焊点，另一端与发射极引出端连接形成第二焊点，且第一焊点的延伸方向垂直于沟槽型栅极沟槽的延伸方向。该封装结构减小了单个沟槽的应力，提高了焊线良率，提高了芯片的可靠性。
本发明授权一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构，其特征在于，包括： 沟槽型绝缘栅双极型晶体管，所述沟槽型绝缘栅双极型晶体管包括与发射极电连接的发射极金属层以及位于所述发射极金属层一侧的沟槽型栅极； 引线框架，所述引线框架包括用于固定所述沟槽型绝缘栅双极型晶体管的芯片放置区以及发射极引出端； 连接所述发射极金属层与所述发射极引出端的第一焊线，所述第一焊线一端与所述发射极金属层背离所述沟槽型栅极的表面连接形成条形的第一焊点，另一端与所述发射极引出端连接形成第二焊点，且所述第一焊点的延伸方向垂直于所述沟槽型栅极沟槽的延伸方向； 所述第一焊线位于所述第一焊点和第二焊点之间的部分形成弧形部，所述弧形部的最高点距离所述发射极金属层的弧高为750微米至1000微米。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电器股份有限公司，其通讯地址为：519070 广东省珠海市前山金鸡西路；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励