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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利提供晶体管的受应力沟道的装置、方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111033756B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780094469.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权提供晶体管的受应力沟道的装置、方法和系统是由R.梅汉德鲁;S.M.塞亚;T.加尼;A.S.墨菲设计研发完成，并于2017-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本提供晶体管的受应力沟道的装置、方法和系统在说明书摘要公布了：用来在晶体管上施加应力的技术和机制，该晶体管包括各自在鳍片结构中的沟道区域和源极或漏极区域。在一实施例中，晶体管的栅极结构在鳍片结构上延伸，其中第一间隔物部分在栅极结构的侧壁处，且第二间隔物部分邻接第一间隔物部分。两个特征中的任一个或二者存在于间隔物部分的相应底部边缘处或下方。特征之一包括鳍片结构上的不连续线。另一特征包括第二间隔物部分中掺杂剂的浓度大于源极或漏极区域中掺杂剂的浓度。在另一实施例中，鳍片结构被设置在缓冲层上，其中沟道区域上的应力至少部分地通过缓冲层来施加。

本发明授权提供晶体管的受应力沟道的装置、方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种用于提供电信号的集成电路IC装置，所述IC装置包括： 含有半导体晶格的缓冲层； 从所述缓冲层沿着第一尺寸延伸的鳍片结构，所述鳍片结构包括： 晶体管的沟道区域，其中应力通过所述缓冲层被施加在所述沟道区域上；以及 所述晶体管的掺杂源极或漏极区域，其中所述掺杂源极或漏极区域延伸至所述鳍片结构的表面； 所述晶体管的栅极结构，其中所述栅极结构在所述鳍片结构上延伸； 设置在所述栅极结构的侧壁上的第一间隔物部分； 邻接所述第一间隔物部分的第二间隔物部分；以及 所述鳍片结构的表面上的残留掺杂层部分，其中，沿着所述第一尺寸中的第一条线，所述残留掺杂层部分位于所述第二间隔物部分和所述掺杂源极或漏极区域之间，并与所述第二间隔物部分和所述掺杂源极或漏极区域的每一个相邻; 其中所述第一间隔物部分沿着所述第一尺寸中的第二条线，经过所述第二间隔物部分的底部并沿着所述残留掺杂层部分延伸，以毗邻所述鳍片结构的表面处的所述掺杂源极或漏极区域；以及 其中，在所述鳍片结构的表面处，所述掺杂源极或漏极区域远离所述第一间隔物部分，并沿着与所述第一尺寸正交的第二尺寸中的第三条线方向，在所述残留掺杂层部分之下，然后经过所述残留掺杂层部分的边缘而延伸。

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