三星电子株式会社金容才获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111081631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910806621.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件是由金容才;李吉镐;郑大恩;高宽协设计研发完成，并于2019-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：半导体器件可以包括衬底上的导电结构、导电结构上的接触插塞以及接触插塞上的磁隧道结结构。接触插塞的下表面的面积可以大于其上表面的面积，并且接触插塞可以包括至少部分地覆盖导电结构的上表面的覆盖图案、覆盖图案上的导电图案以及导电图案上的非晶含金属图案。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底上的第一接触插塞； 所述第一接触插塞上的导电结构； 所述导电结构上的第二接触插塞，所述第二接触插塞的下表面的面积大于所述第二接触插塞的上表面的面积，所述下表面比所述上表面更靠近所述衬底，并且所述第二接触插塞包括： 覆盖图案，至少部分地覆盖所述导电结构的上表面； 所述覆盖图案上的导电图案；以及 所述导电图案上的非晶含金属图案； 覆盖所述第二接触插塞的侧壁的隔墙；以及 所述第二接触插塞上的磁隧道结结构， 其中，所述隔墙的宽度从其顶部朝向底部逐渐增加。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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