三星电子株式会社李耀翰获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器装置及在其中编程的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111161779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911083881.7，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权非易失性存储器装置及在其中编程的方法是由李耀翰设计研发完成，并于2019-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器装置及在其中编程的方法在说明书摘要公布了：在非易失性存储器装置中的编程的方法中，提供包括在竖直方向上布置的多个堆叠体的存储块，其中存储块包括单元串，单元串中的每一个包括在源极线和位线的每一个之间在竖直方向上串联连接的存储器单元。提供布置在竖直方向上两个相邻的堆叠体之间的边界部分中的多个中间开关晶体管，其中中间开关晶体管执行开关操作以分别控制单元串的电连接。在关于存储块的编程操作期间在控制中间开关晶体管的开关操作的同时，执行升压操作以对多个堆叠体的沟道的电压进行升压。通过控制中间开关晶体管的开关操作，降低编程电压干扰和通过电压干扰。
本发明授权非易失性存储器装置及在其中编程的方法在权利要求书中公布了：1.一种在非易失性存储器装置中编程的方法，所述方法包括步骤： 提供包括在竖直方向上布置的多个堆叠体的存储块，每个存储块包括多个单元串，并且每个单元串包括在源极线和多条位线中的每一条之间、在所述竖直方向上串联连接的多个存储器单元； 提供布置在所述竖直方向上的两个相邻的堆叠体之间的边界部分中的多个中间开关晶体管，所述中间开关晶体管执行开关操作以分别控制所述单元串的电连接；以及 在关于所述存储块的编程操作期间，在控制所述中间开关晶体管的所述开关操作的同时，执行升压操作以对所述堆叠体的沟道的电压进行升压 其中，执行所述升压操作的步骤包括： 在使所述中间开关晶体管导通的同时，将第一通过电压施加到所述堆叠体中的擦除堆叠体的字线，所述擦除堆叠体表示其中所有存储器单元处于擦除状态的堆叠体； 在将所述第一通过电压施加到所述擦除堆叠体的字线之后，在使所述中间开关晶体管截止的同时，将第二通过电压施加到所述堆叠体中的所选堆叠体的字线，所述所选堆叠体表示包括待被编程的存储器单元的堆叠体。
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