台湾积体电路制造股份有限公司徐梓翔获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置与其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111223936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911184969.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体装置与其形成方法是由徐梓翔;陈定业;李威养;杨丰诚;陈燕铭设计研发完成，并于2019-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置与其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置与其形成方法，该半导体装置包括自基板延伸的第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物，以及外延成长于第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物的凹陷中的源极漏极区。源极漏极区的上表面高于与第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物的上表面齐平的表面。源极漏极区包括多个缓冲层。个别的缓冲层埋置于源极漏极区的个别层之间。缓冲层的每一者的平均厚度可为至
本发明授权半导体装置与其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 自一基板延伸的一第一半导体鳍状物与一第二半导体鳍状物； 一栅极，位于该第一半导体鳍状物与该第二半导体鳍状物上；以及 一源极漏极区，位于该第一半导体鳍状物与该第二半导体鳍状物上并与该栅极相邻，其中该源极漏极区的上表面高于该栅极下的该第一半导体鳍状物与该第二半导体鳍状物的上表面，其中该源极漏极区包括多个缓冲层与多个主体层，其中该源极漏极区包括互相交错的该些缓冲层与该些主体层，其中该些缓冲层的每一者的平均厚度为至其中该些主体层的一第二主体层的下侧壁接触该些主体层的一第一主体层。
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