东泰高科装备科技有限公司马亮获国家专利权
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龙图腾网获悉东泰高科装备科技有限公司申请的专利一种太阳能电池单元、太阳能电池以及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111312828B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811509613.2，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种太阳能电池单元、太阳能电池以及制造方法是由马亮设计研发完成，并于2018-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池单元、太阳能电池以及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种太阳能电池单元，所述太阳能电池单元包括太阳能电池本体和设置在太阳能电池本体的外表面上的透光抗辐射层，所述透光抗辐射层能够阻止波长小于紫外线的辐射波穿过该透光抗辐射层进入太阳能电池本体，并将上述辐射波的能量以紫外线、红外线和可见光的形式输出，从而在延长太阳能电池寿命的同时为太阳能电池提供更多可利用的光线，提高太阳能电池的能量输出。本发明还提供一种包括多个该太阳能电池单元的太阳能电池以及一种制造该太阳能电池的方法。
本发明授权一种太阳能电池单元、太阳能电池以及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池单元，所述太阳能电池单元包括太阳能电池本体，其特征在于， 所述太阳能电池单元还包括设置在所述太阳能电池本体的外表面的至少一部分上的透光抗辐射层，所述透光抗辐射层能够阻止入射在该透光抗辐射层上的波长小于紫外线的波长的辐射波穿过该透光抗辐射层进入所述太阳能电池本体，并将上述辐射波的能量以紫外线、红外线和可见光的形式输出，所述透光抗辐射层设置在所述太阳能电池本体的采光面上，且所述透光抗辐射层由闪烁晶体材料制成，所述太阳能电池本体包括光电转换层，所述光电转换层包括层叠设置的N型半导体部和P型半导体部，所述N型半导体部远离所述P型半导体部的一侧或所述P型半导体部远离所述N型半导体部的侧面形成为所述太阳能电池本体的采光面，所述太阳能电池本体的采光面上设置有前电极层，所述透光抗辐射层覆盖所述前电极层，所述太阳能电池单元还包括抗反射层，所述抗反射层设置于所述透光抗辐射层远离所述太阳能电池本体的一侧。
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