美新半导体(无锡)有限公司刘尧获国家专利权
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龙图腾网获悉美新半导体(无锡)有限公司申请的专利一种红外热电堆传感装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111795750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010706869.3,技术领域涉及:G01J5/12;该发明授权一种红外热电堆传感装置是由刘尧;凌方舟;蒋乐跃;储莉玲设计研发完成,并于2020-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种红外热电堆传感装置在说明书摘要公布了:本发明提供一种红外热电堆传感装置,其包括基于基底层形成的热电堆传感器,所述热电堆传感器包括吸收区,所述基底层上形成有空腔,所述吸收区悬置于所述基底层的空腔之上,所述吸收区包括层叠的第一金属层、介质层和第二金属层,所述第一金属层相较于第二金属层更靠近所述基底层的空腔,所述吸收区的介质层位于第一金属层和第二金属层之间,所述吸收区的第二金属层被图形化以形成预定图形。这样,通过将金属层制作成预定图形来增强红外吸收率,调整特定波长吸收率,从而提高红外热电堆传感装置的性能。
本发明授权一种红外热电堆传感装置在权利要求书中公布了:1.一种红外热电堆传感装置,其特征在于,其包括基于基底层形成的热电堆传感器,所述热电堆传感器包括吸收区,所述基底层上形成有空腔,所述吸收区悬置于所述基底层的空腔之上,所述吸收区包括层叠的第一金属层、介质层和第二金属层,所述第一金属层相较于第二金属层更靠近所述基底层的空腔,所述吸收区的介质层位于第一金属层和第二金属层之间,所述吸收区的第二金属层被图形化以形成预定图形, 所述吸收区的第一金属层构成反射镜; 所述吸收区的介质层用于吸收入射红外光; 所述吸收区的图形化的第二金属层包括若干周期单元, 所述吸收区还包括:较第一金属层更靠近所述基底层的空腔的高热导率填充层,其中所述吸收区的第一金属层和高热导率填充层布满整个吸收区, 所述热电堆传感器还包括位于所述吸收区周边的多个热电偶,所述热电偶的热端悬置于所述基底层的空腔之上,所述热电偶的冷端位于所述基底层上, 每个热电偶由多晶硅层、第一金属层和第二金属层构成, 其中所述热电偶的第一金属层与所述吸收区的第一金属层是相同的一层金属图形化而成的不同部分,所述热电偶的第二金属层与所述吸收区的第二金属层是相同的另一层金属图形化而成的不同部分,所述热电偶的多晶硅层与所述吸收区的多晶硅层是相同的一层多晶硅图形化而成的不同部分。
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