IMEC 非营利协会曾文德获国家专利权
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龙图腾网获悉IMEC 非营利协会申请的专利一种在半导体鳍结构上形成掩模层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111799157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010269219.7，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权一种在半导体鳍结构上形成掩模层的方法是由曾文德;陶铮;E·奥尔塔米拉诺桑切兹设计研发完成，并于2020-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在半导体鳍结构上形成掩模层的方法在说明书摘要公布了：公开了在半导体鳍结构100上形成掩模层190的方法。所述方法包括：形成第一组间隔物和设置在第一组间隔物侧表面处的第二组间隔物131、132、133、134，在第二组间隔物之间提供第一填料材料140，蚀刻第一填料材料的顶部部分，以在第二组间隔物之间形成凹陷150，在凹陷中提供第二填料材料160，使第二填料材料形成一组伪掩模线。此外，所述方法包括：使得至少第一组间隔物的顶部部分170凹陷，在伪掩模线之间提供掩模层材料180，以及去除伪掩模线和第一填料材料。
本发明授权一种在半导体鳍结构上形成掩模层的方法在权利要求书中公布了：1.一种在半导体鳍结构100上形成掩模层190的方法，所述方法包括如下步骤： 在鳍结构上形成芯轴110； 在芯轴上提供第一间隔物材料120，由此形成第一组间隔物，所述第一组间隔物包括在芯轴第一侧表面处的第一间隔物121和在芯轴第二侧表面处的第二间隔物122， 去除芯轴； 在第一和第二间隔物上提供第二间隔物材料130，由此形成设置在第一组间隔物侧表面处的第二组间隔物131、132、133、134； 在第二组间隔物之间提供第一填料材料140； 对第一填料材料的顶部部分进行蚀刻，以在第二组间隔物之间形成凹陷150； 在凹陷中提供第二填料材料160，第二填料材料形成了一组伪掩模线； 使得至少第一组间隔物的顶部部分170凹陷； 在伪掩模线之间提供掩模层材料180；以及 去除伪掩模线和第一填料材料， 其中，在提供第一间隔物材料的步骤之后进行回蚀工艺以从鳍结构去除第一间隔物材料。
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