台湾积体电路制造股份有限公司吴旭升获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010024867.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体装置的形成方法是由吴旭升;刘昌淼;尚慧玲设计研发完成，并于2020-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置的形成方法包括形成虚置栅极堆叠于半导体基板之上，虚置栅极堆叠具有虚置栅极电极及虚置栅极介电层；形成间隔物元件于虚置栅极堆叠的侧壁之上；部分移除虚置栅极电极以形成凹槽；部分移除间隔物元件以扩大凹槽；移除虚置栅极电极的余留部分以露出虚置栅极介电层；在移除虚置栅极电极的余留部分之后掺杂间隔物元件；移除虚置栅极介电层；以及形成金属栅极堆叠于凹槽之中。
本发明授权半导体装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，包括： 形成一虚置栅极堆叠于一半导体基板之上，其中该虚置栅极堆叠具有一虚置栅极电极及一虚置栅极介电层； 形成间隔物元件于该虚置栅极堆叠的侧壁之上； 部分移除该虚置栅极电极以形成一凹槽； 部分移除所述间隔物元件以扩大该凹槽； 移除该虚置栅极电极的一余留部分以露出该虚置栅极介电层； 在移除该虚置栅极电极的该余留部分之后掺杂所述间隔物元件； 移除该虚置栅极介电层，其中在掺杂所述间隔物元件后移除该虚置栅极介电层；以及 形成一金属栅极堆叠于该凹槽之中，其中所述间隔物元件具有一下部及一上部，该下部比该上部厚，该上部具有靠近该金属栅极堆叠的一上侧壁，该下部具有具有靠近该金属栅极堆叠的一下侧壁，该上侧壁及该下侧壁为大抵垂直的，且该下侧壁相对于该上侧壁内缩。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励