台湾积体电路制造股份有限公司陈靖怡获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309959B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911017657.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权集成电路结构及其制造方法是由陈靖怡;林圣轩;卢炜业;陈泓旭;张志维设计研发完成，并于2019-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及集成电路结构及其制造方法。一种方法包括蚀刻衬底的电介质层以在电介质层中形成开口，形成延伸到开口中的金属层，执行退火工艺，使得金属层的底部与在金属层下面的半导体区域反应，以形成源极漏极区域，使用包含氢气和含氮气体的工艺气体对衬底执行等离子体处理工艺，以形成含硅和氮的层，以及在含硅和氮的层上沉积金属材料。
本发明授权集成电路结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造集成电路结构的方法，包括： 蚀刻衬底的电介质层以在所述电介质层中形成开口； 形成延伸到所述开口中的金属层； 执行退火工艺，使得所述金属层的底部与在所述金属层下面的半导体区域反应，以形成源极漏极硅化物区域； 使用包含氢气和含氮气体的工艺气体对所述衬底执行等离子体处理工艺，以形成含硅和氮的层；以及 在所述含硅和氮的层上沉积金属材料， 其中，对所述金属材料进行沉积的至少一部分和所述等离子体处理工艺是原位执行的，其间没有真空破坏。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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