台湾积体电路制造股份有限公司林政旻获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光掩模结构、其制造方法及使用其的半导体制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112415849B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010357202.7，技术领域涉及：G03F1/84；该发明授权光掩模结构、其制造方法及使用其的半导体制造方法是由林政旻;张浩铭;陈志明;黄崇洋设计研发完成，并于2020-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本光掩模结构、其制造方法及使用其的半导体制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施涉及光掩模结构、其制造方法及使用其的半导体制造方法。本发明实施例提供一种用于制造光掩模的方法。方法包含若干操作。接收具有芯片区域及相邻于芯片区域的外围区域的光掩模衬底。在外围区域中通过发射第一辐射照射来形成参考图案且通过发射多个第二辐射照射来形成第一β图案。沿第一方向发射多个第二辐射照射。从俯视视角看，比较沿第一方向的第一β图案的边界的粗糙度与沿第一方向的参考图案的边界的粗糙度。如果比较的结果超过公差，那么调整多个第二辐射照射的对准，或形成光掩模。本发明实施例还提供一种光掩模结构及一种用于制造半导体的方法。
本发明授权光掩模结构、其制造方法及使用其的半导体制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造光掩模的方法，其包括： 接收具有芯片区域及相邻于所述芯片区域的外围区域的光掩模衬底； 通过在所述外围区域中发射第一辐射照射来形成参考图案； 通过在所述外围区域中发射多个第二辐射照射来形成第一β图案，其中沿第一方向发射所述多个第二辐射照射； 从俯视视角看，比较沿所述第一方向的所述第一β图案的边界的粗糙度与沿所述第一方向的所述参考图案的边界的粗糙度； 如果所述比较的结果超过公差，那么调整所述多个第二辐射照射的对准；及 如果所述比较的所述结果是在所述公差内，那么形成所述光掩模。
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