台湾积体电路制造股份有限公司黄进义获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010886231.2，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权半导体器件和其形成方法是由黄进义;施惟凯设计研发完成，并于2020-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件，包含：沟道区，位于源极区与漏极区之间；栅极，位于沟道区上方；介电层，位于栅极上方；电容场板，位于介电层上方；以及字线，电耦合到电容场板。
本发明授权半导体器件和其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 晶体管，包括： 第一源极漏极区； 第二源极漏极区； 沟道区，位于所述第一源极漏极区与所述第二源极漏极区之间； 栅极电极，位于所述沟道区上方；以及 间隔件，与所述栅极电极侧向相邻； 第一介电层，位于所述栅极电极上方且与所述栅极电极直接接触且与所述间隔件侧向相邻，其中所述第一介电层具有第一底部表面，第二底部表面和第三底部表面，所述第一底部表面上覆于所述第一源极漏极区，所述第二底部表面上覆于所述第二源极漏极区，所述第三底部表面上覆于所述栅极电极，以及所述第一底部表面和所述第三底部表面在竖直方向上分隔开距离； 第二介电层，与所述第一介电层侧向相邻，其中所述第二介电层透过所述第一介电层与所述间隔件隔开； 电容场板，位于所述介电层上方；以及 字线，电耦合到所述电容场板。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励