厦门市三安集成电路有限公司徐宁获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利一种具有复合漏极结构的氮化物功率器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112531020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011180879.4，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权一种具有复合漏极结构的氮化物功率器件及其制作方法是由徐宁;林科闯;刘成;林育赐;赵杰;何俊蕾;叶念慈设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有复合漏极结构的氮化物功率器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有复合漏极结构的氮化物功率器件，包括GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极金属、漏极金属和栅极金属，沟道层和势垒层构成异质结，源极金属、漏极金属和栅极金属设于势垒层之上；还包括若干p型氮化物结构，所述若干p型氮化物结构设于所述漏极金属和势垒层之间且分立间隔排布，所述漏极金属与所述p型氮化物结构形成欧姆接触。本发明还公开了上述具有复合漏极结构的氮化物功率器件的制作方法。本发明于漏极引入p型氮化物结构，且漏极金属与p型氮化物结构形成欧姆接触，通过正向偏置时空穴注入，降低沟道电阻，提高器件的峰值电流处理能力。
本发明授权一种具有复合漏极结构的氮化物功率器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有复合漏极结构的氮化物功率器件，其特征在于：包括GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极金属、漏极金属和栅极金属，沟道层和势垒层构成异质结，源极金属、漏极金属和栅极金属设于势垒层之上；还包括若干p型氮化物结构，所述若干p型氮化物结构设于所述漏极金属和势垒层之间且分立间隔排布，所述漏极金属与所述p型氮化物结构形成欧姆接触；所述若干p型氮化物结构为条形结构或块状结构，且等距离间隔排布。
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