中兴光电子技术有限公司周扬获国家专利权
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龙图腾网获悉中兴光电子技术有限公司申请的专利硅基可调光衰减器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113050302B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911367770.9，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权硅基可调光衰减器及其制作方法是由周扬设计研发完成，并于2019-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅基可调光衰减器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基可调光衰减器，包括：脊波导、非掺杂区、第一P型掺杂区域、第一N型掺杂区、第二P型掺杂区、第二N型掺杂区；脊波导设置于所述非掺杂区一侧的表面上；第一P型掺杂区、第一N型掺杂区分别设置于所述脊波导两侧；第二P型掺杂区、第二N型掺杂区分别设置于脊波导两侧；第二N型掺杂区与第一P型掺杂区同侧设置；第二P型掺杂区与第一N型掺杂区同侧设置；第一P型掺杂区与第二N型掺杂区电性连接；第一N型掺杂区与第二P型掺杂区电性连接。本发明还公开了一种硅基可调光衰减器的制作方法。通过本发明提供得硅基可调光衰减器及其制作方法，可以显著提高硅基可调节光衰减器的防静电等级。
本发明授权硅基可调光衰减器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基可调光衰减器，其特征在于，包括：脊波导、非掺杂区、第一P型掺杂区、第一N型掺杂区、第二P型掺杂区、第二N型掺杂区； 所述脊波导设置于所述非掺杂区一侧的表面上； 所述非掺杂区与所述第一P型掺杂区、所述第一N型掺杂区、所述第二P型掺杂区、所述第二N型掺杂区同层设置； 所述第一P型掺杂区、所述第一N型掺杂区分别设置于所述脊波导两侧； 所述第二P型掺杂区、所述第二N型掺杂区分别设置于所述脊波导两侧； 所述第二N型掺杂区与所述第一P型掺杂区同侧设置； 所述第二P型掺杂区与所述第一N型掺杂区同侧设置； 所述第一P型掺杂区与所述第二N型掺杂区电性连接；所述第一N型掺杂区与所述第二P型掺杂区电性连接。
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