世界先进积体电路股份有限公司林志鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113078213B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010005588.5，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体结构及其形成方法是由林志鸿;李家豪设计研发完成，并于2020-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体结构及其形成方法。前述半导体结构包含基底；第一阱，设置于基底中；第二阱，设置于基底中且邻接于第一阱；隔离结构，设置于第一阱中；以及栅极结构，设置于基底上且包含第一栅极部及第二栅极部，其中第一栅极部与第一阱和第二阱重叠，且第一栅极部和第二栅极部之间具有开口露出隔离结构的一部分，可以有效地减少热载子注入测试所导致的半导体结构的损伤，而改善半导体结构的可靠度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一基底； 一第一阱，设置于该基底中； 一第二阱，设置于该基底中，且邻接于该第一阱； 一隔离结构，设置于该第一阱中；以及 一栅极结构，设置于该基底上且包括一第一栅极部及一第二栅极部，其中该第一栅极部与该第一阱和该第二阱重叠，且该第一栅极部和该第二栅极部之间具有一开口露出该隔离结构的一部分，其中 该隔离结构具有靠近该第二阱的一第一侧壁，且该第一侧壁具有靠近该隔离结构的一顶面的一第一端及与该第一端相对的一第二端，其中该开口的一边缘水平位于该第一端与该第二端之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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