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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利MOS栅控功率器件中的短路保护结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113097202B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011534044.4，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权MOS栅控功率器件中的短路保护结构是由曾光;A·毛德;J·威尔斯设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOS栅控功率器件中的短路保护结构在说明书摘要公布了：公开了MOS栅控功率器件中的短路保护结构。一种单芯片功率半导体器件1包括：第一负载端子11；第二负载端子12；半导体本体10，其被集成在单芯片中并且耦合到第一负载端子11和第二负载端子12，并且被配置为传导沿着所述端子11，12之间的负载电流路径的负载电流；控制端子13和电连接到控制端子13的至少一个控制电极131，其中至少一个控制电极131与半导体本体10电绝缘并且被配置为基于控制端子13和第一负载端子11之间的控制电压25来控制负载电流；保护结构15，其被与负载电流路径分离地集成在单芯片中，并且包括多个pn结153的利用多个第一导电类型的第一半导体区151和多个第二导电类型的第二半导体区152的串联连接155。pn结153的串联连接155被以正向偏置连接在控制端子13和第一负载端子11之间。

本发明授权MOS栅控功率器件中的短路保护结构在权利要求书中公布了：1.一种单芯片功率半导体器件1，包括： -第一负载端子11； -第二负载端子12； -半导体本体10，其被集成在单芯片中并且耦合到第一负载端子11和第二负载端子12，并且被配置为传导沿着所述第一负载端子11和第二负载端子12之间的负载电流路径的负载电流； -控制端子13和电连接到控制端子13的至少一个控制电极131，其中所述至少一个控制电极131与半导体本体10电绝缘并且被配置为基于控制端子13和第一负载端子11之间的控制电压25来控制负载电流； -保护结构15，其与负载电流路径分离地集成在单芯片中，并且包括多个pn结153的利用多个第一导电类型的第一半导体区151和多个第二导电类型的第二半导体区152的串联连接155， -多个短路元件154，所述多个短路元件154短路由相应的第一半导体区151和相邻的第二半导体区152的对形成的np结156，其中： pn结153的串联连接155被以正向偏置连接在控制端子13和第一负载端子11之间。

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