台湾积体电路制造股份有限公司林孟汉获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利一种肖特基势垒二极管及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130320B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010773465.6，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种肖特基势垒二极管及其形成方法是由林孟汉;陈德安设计研发完成，并于2020-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种肖特基势垒二极管及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种肖特基势垒二极管及其形成方法。一种制造肖特基势垒二极管的方法包含：在衬底上方形成第一阱区；在所述第一阱区上方形成第一介电层；通过减小所述第一介电层的第一厚度来将所述第一介电层图案化；移除所述第一介电层以暴露出所述第一阱区的表面；及在所述第一阱区上方形成导电层以获得肖特基势垒界面。还提供一种基于上述方法制造的肖特基势垒二极管。
本发明授权一种肖特基势垒二极管及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种制造肖特基势垒二极管的方法，其包括： 在衬底上方形成第一阱区； 在所述第一阱区上方形成第一介电层； 通过减小所述第一介电层的第一厚度来将所述第一介电层图案化，包括： 在所述衬底中的第三阱区上方沉积第二介电层，所述第三阱区是PMOS晶体管的n阱或NMOS晶体管的p阱；及 使用同一图案化操作从所述第三阱区移除所述第二介电层并减小所述第一介电层的所述第一厚度； 对所述第一介电层的已被减小所述第一厚度的部分进一步进行蚀刻以暴露出所述第一阱区的表面；及 在所述第一阱区上方形成导电层以获得肖特基势垒界面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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