台湾积体电路制造股份有限公司卢琳蓁获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及形成半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110101538.1，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体装置及形成半导体装置的方法是由卢琳蓁;辛格·古尔巴格;蔡宗翰;王柏仁设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及形成半导体装置的方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置及形成半导体装置的方法，半导体装置包含半导体基板、半导体绝缘层、氧化层以及一或多个装置特征。半导体绝缘层完全覆盖半导体基板。氧化层完全覆盖半导体绝缘层。一或多个装置特征形成于氧化层上方。本揭露提供跨SOI结构的强化隔离。与在结构上的特定区中形成电荷陷落层相反，电荷陷落层可跨绝缘基板界面建置。电荷陷落层可为贯穿绝缘层且在绝缘层下方形成的植入层。建置于此SOI结构上的装置具有装置之间的减少的串扰。归因于均匀结构，隔离跨结构是强化的且不界限于某些区。另外，不需要深渠沟植入来形成结构，从而消除了成本。绝缘体上半导体基板可包括在氧化层上的活性硅层。氧化层可在电荷陷落层上。电荷陷落层可在硅基板上。
本发明授权半导体装置及形成半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 一半导体基板； 一半导体绝缘层，完全覆盖该半导体基板； 一氧化层，完全覆盖该半导体绝缘层；以及 多个装置特征，形成于该氧化层上方，其中该半导体绝缘层是植入硅层，且该半导体绝缘层全部跨所述多个装置特征无中断地延伸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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