浙江爱旭太阳能科技有限公司邱开富获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江爱旭太阳能科技有限公司申请的专利一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113299771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110627510.1，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构是由邱开富;王永谦;杨新强;陈刚设计研发完成，并于2021-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构在说明书摘要公布了：本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构，该背面接触结构包括间隔设置于硅衬底背面的凹槽；设置在硅衬底背面的第一电介质层；设置于第一电介质层上，且设置在凹槽内的第一掺杂区域；设置于第一电介质层上，且设置在凹槽外的第二掺杂区域；设置于第一掺杂区域和第二掺杂区域之间的第二电介质层，第二电介质层为至少一层；及设置在第一掺杂区域和第二掺杂区域上的导电层。本发明中提供的背面接触结构，解决了现有对于沟槽宽度控制要求高及钝化效果差的问题。
本发明授权一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的背面接触结构，其特征在于，包括： 间隔设置于硅衬底背面的凹槽； 设置在所述硅衬底背面的第一电介质层； 设置于所述第一电介质层上，且仅设置在所述凹槽内的第一掺杂区域，设置于所述凹槽中的第一电介质层和第一掺杂区域的总厚度小于等于所述凹槽的深度； 设置于所述第一电介质层上，且设置在所述凹槽外的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域设于所述凹槽之外的部分区域； 设置于所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间的第二电介质层，所述第二电介质层为至少一层；及 设置在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域上的导电层，所述第二电介质层包括第一部分、第二部分以及第三部分，所述第一部分覆盖所述第一掺杂区域的顶面，且所述第一部分设置于所述凹槽内，所述第二部分覆盖所述第二掺杂区的顶面，并且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区间隔设置，所述第三部分设置于所述第一部分与所述第二部分之间且覆盖于凹槽之外的另一部分区域。
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