台湾积体电路制造股份有限公司江子昂获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314420B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110162996.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置及其制造方法是由江子昂;连建洲;陈玠玮;王伯原;林群能;叶明熙设计研发完成，并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法包括形成栅极沟槽于半导体鳍状物上。栅极沟槽包括多个第一栅极间隔物所围绕的上侧部分，与多个第二栅极间隔物及第一栅极间隔物所围绕的下侧部分。方法包括形成金属栅极于栅极沟槽的下侧部分中。金属栅极位于栅极介电层的第一部分上。方法包括沉积金属材料于栅极沟槽中，以形成栅极于栅极沟槽的下侧部分中的金属栅极上，且栅极介电层的第二部分维持覆盖第一栅极间隔物的侧壁与第二栅极间隔物的上表面。方法包括移除栅极介电层的第二部分，而栅极维持实质上完整。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括： 形成一栅极沟槽于一半导体鳍状物上，该栅极沟槽包括多个第一栅极间隔物所围绕的一上侧部分，与多个第二栅极间隔物及多个所述第一栅极间隔物所围绕的一下侧部分； 形成一金属栅极于该栅极沟槽的该下侧部分中，其中该金属栅极位于一栅极介电层的一第一部分上； 沉积一金属材料于该栅极沟槽中，以形成一第一栅极及一第二栅极于该栅极沟槽的该下侧部分中的该金属栅极上，且该栅极介电层的一第二部分维持覆盖多个所述第一栅极间隔物的侧壁与多个所述第二栅极间隔物的上表面；以及 移除该栅极介电层的该第二部分，而该第一栅极及该第二栅极维持完整，其中移除该栅极介电层的该第二部分的步骤包括以一湿蚀刻溶液移除该栅极介电层的该第二部分，且该湿蚀刻溶液移除该栅极介电层的材料的速率大于移除该金属材料的速率，其中该第一栅极及该第二栅极透过该金属栅极的一金属填充层彼此横向隔开。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励