半导体元件工业有限责任公司G·M·格里弗纳获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利用于源极向下竖直半导体器件的结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113437022B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110221578.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权用于源极向下竖直半导体器件的结构和方法是由G·M·格里弗纳设计研发完成，并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于源极向下竖直半导体器件的结构和方法在说明书摘要公布了：本发明题为“用于源极向下竖直半导体器件的结构和方法”。本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括半导体材料区域，该半导体材料区域具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧。有源器件结构与该第一侧相邻，该有源器件结构包括源极区域和栅极电极。第一栅极导体在该第一侧处电连接到该栅极电极，漏极区域在该第二侧处，第二栅极导体在该第二侧处，并且贯穿半导体通孔从该第一侧朝向该侧延伸并且将该第一栅极电极电连接到该第二栅极电极。源极电极在该第一侧处电连接到该源极区域，并且漏极电极在该第二侧处电连接到该漏极区域。该贯穿半导体通孔与该源极区域和该漏极区域电隔离。该结构提供具有源极向下配置的栅极漏极向上。
本发明授权用于源极向下竖直半导体器件的结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括： 提供包括第一侧、与所述第一侧相对的第二侧以及半导体器件的半导体晶圆，其中每个半导体器件包括栅极衬垫和有源器件结构，所述有源器件结构包括与所述第一侧相邻的源极区域和栅极电极以及在所述第二侧处的漏极区域和栅极区域，并且其中所述栅极衬垫电耦接到所述栅极电极； 提供导电结构，所述导电结构从所述栅极衬垫至少部分地穿过所述半导体晶圆朝向所述第二侧延伸，以在所述第二侧处将所述栅极衬垫电耦接到所述栅极区域； 在所述第一侧之上提供第一电极，所述第一电极电耦接到所述源极区域并且与所述栅极衬垫电隔离； 在所述第二侧处提供第二电极，所述第二电极与所述栅极区域相邻并且电耦接到所述导电结构；以及 提供第三电极，所述第三电极在所述第二侧处电耦接到所述漏极区域。
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