台湾积体电路制造股份有限公司游家权获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构与其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113555358B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011313026.3，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体装置结构与其制造方法是由游家权;朱熙甯;江国诚;王志豪设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构与其制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置结构包含第一、第二与第三栅极电极层、第一与第二介电质特征部、第一晶种层、第一导体层、第二晶种层、第二导体层与介电质材料。第一介电质特征部置于第一与第二栅极电极层之间。第二介电质特征部置于第二与第三栅极电极层之间。第一晶种层接触第一栅极电极层、第一介电质特征部与第二栅极电极层。第一导体层置于第一晶种层上。第二晶种层接触第三栅极电极层。第二导体层置于第二晶种层上。介电质材料置于第二介电质特征部、第一与第二导体层上。介电质材料是在第一晶种层与第二晶种层之间且在第一导体层与第二导体层之间。
本发明授权半导体装置结构与其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包含： 一第一栅极电极层； 一第二栅极电极层，相邻该第一栅极电极层； 一第三栅极电极层，相邻该第二栅极电极层； 一第一介电质特征部，置于该第一栅极电极层与该第二栅极电极层之间； 一第二介电质特征部，置于该第二栅极电极层与该第三栅极电极层之间； 一第一晶种层，接触该第一栅极电极层、该第一介电质特征部与该第二栅极电极层； 一第一导体层，置于该第一晶种层上； 一第二晶种层，接触该第三栅极电极层； 一第二导体层，置于该第二晶种层上；及 一介电质材料，置于该第二介电质特征部、该第一导体层与该第二导体层上，其中该介电质材料是在该第一晶种层与该第二晶种层之间且在该第一导体层与该第二导体层之间。
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