株式会社迪思科邱晓明获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片的生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113580398B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110480247.8，技术领域涉及：B28D5/04；该发明授权晶片的生成方法是由邱晓明设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片的生成方法在说明书摘要公布了：本发明提供晶片的生成方法，在通过从SiC锭的剥离而生成晶片时，缩短剥离时间。晶片的生成方法包含如下的晶片生成工序：向形成有剥离层的锭的端面喷射超声波水而将晶片从锭剥离，从而生成晶片。因此，与同时对锭的端面的整个面传递超声波振动而将晶片剥离的结构相比，能够缩短剥离时间，并且能够使超声波水喷射喷嘴和超声波水喷射喷嘴的超声波振动板小型化。由此，能够实现与晶片的剥离相关的效率化和成本的降低。
本发明授权晶片的生成方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的生成方法，从单晶SiC锭生成晶片，该单晶SiC锭具有平坦的端面、c轴以及与该c轴垂直的c面，该c轴相对于该端面的垂线倾斜偏离角，该c面与该端面所成的角度为该偏离角，其中， 该晶片的生成方法具有如下的工序： 剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该单晶SiC锭中的与应生成的晶片的厚度相当的深度即晶片深度而向该单晶SiC锭的平坦的端面照射该激光光线，并使该单晶SiC锭与该聚光点沿着与该端面平行的方向相对地移动，从而形成剥离层，该剥离层包含改质部和从该改质部沿着该c面按照各向同性而形成的裂纹；以及 晶片生成工序，在实施了该剥离层形成工序之后，从超声波水喷射喷嘴朝向该单晶SiC锭的要生成晶片的那侧的该端面喷射传播了超声波振动的超声波水，并且使该单晶SiC锭与该超声波水喷射喷嘴沿着与该端面平行的方向相对地移动，使该单晶SiC锭的沿形成该偏离角的方向排列的多个剥离层相互连结，从而以该剥离层为界面而将晶片剥离，由此生成晶片。
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