德克萨斯仪器股份有限公司E·乔达获国家专利权
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龙图腾网获悉德克萨斯仪器股份有限公司申请的专利具有自举高侧驱动器的开关模式DC/DC转换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113692693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080024989.3，技术领域涉及：H02M1/096；该发明授权具有自举高侧驱动器的开关模式DC/DC转换器是由E·乔达;J·贝克尔;C·施特克设计研发完成，并于2020-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有自举高侧驱动器的开关模式DC/DC转换器在说明书摘要公布了：一种用于DCDC升压转换器100中的高侧NMOS功率晶体管Mhs的栅极驱动器103包括在输出引脚P1和高侧晶体管的栅极之间串联耦合的第一开关102和第二开关104。第三开关106耦合在栅极与高侧晶体管Mhs和低侧晶体管Mls之间的开关节点SW之间，开关节点还耦合到输入引脚P3。第四开关108和第五开关110串联耦合在输出引脚和钳位引脚P4之间。第六开关112和第七开关114串联耦合在输出引脚和接地引脚P2之间。第一自举电容器C1和第二自举电容器C2具有耦合到第一开关和第二开关之间的第一节点105的各自的第一端子。第一电容器具有耦合到第四开关与第五开关之间的节点107的第二端子；第二电容器具有耦合到第六开关和第七开关之间的节点109的第二端子。
本发明授权具有自举高侧驱动器的开关模式DC/DC转换器在权利要求书中公布了：1.一种在集成电路芯片即IC芯片中实现的DCDC升压转换器，所述DCDC升压转换器包括： 高侧N型金属氧化物硅功率晶体管即高侧NMOS功率晶体管，其在用于耦合到输出电压的输出引脚和用于耦合到下轨的接地引脚之间与低侧NMOS功率晶体管串联耦合； 开关节点，其位于所述高侧NMOS功率晶体管和所述低侧NMOS功率晶体管之间，所述开关节点耦合到用于通过电感器耦合到输入电压的输入引脚； 第一自举电容器，其具有经耦合以选择性地连接到输出电压和所述高侧NMOS功率晶体管的栅极中的一个的第一端子和经耦合以选择性地连接到所述输出引脚和用于耦合到钳位电压的钳位引脚中的一个的第二端子；以及 第二自举电容器，其具有经耦合以选择性地连接到所述输出引脚和所述高侧NMOS功率晶体管的所述栅极中的一个的第一端子和经耦合以选择性地连接到所述接地引脚和所述输出引脚中的一个的第二端子。
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