创世舫科技有限公司吴毅锋获国家专利权
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龙图腾网获悉创世舫科技有限公司申请的专利III-氮化物器件的集成设计获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113826206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080036199.7，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权III-氮化物器件的集成设计是由吴毅锋;约翰·柯克·格里特尔斯设计研发完成，并于2020-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本III-氮化物器件的集成设计在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括III‑N器件和场效应晶体管FET。III‑N器件包括III‑N材料结构的第一侧上的衬底，III‑N材料结构的与衬底相对的侧上的第一栅极、第一源极和第一漏极。FET包括第二半导体材料结构、第二栅极、第二源极和第二漏极，并且第二源极在第二半导体材料结构的与第二漏极相对的侧上。FET的第二漏极直接接触且电连接到III‑N器件的第一源极，且通孔穿过暴露出衬底的顶表面的部分的III‑N材料结构的部分形成，且第一栅极经由通孔电连接到衬底。
本发明授权III-氮化物器件的集成设计在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： III-N器件，所述III-N器件包括III-N材料结构的第一侧上的导电衬底，以及所述III-N材料结构的与所述衬底相对的第二侧上的第一栅极、第一源极和第一漏极，其中，所述第一源极与所述导电衬底电隔离；以及 场效应晶体管，所述场效应晶体管包括第二半导体材料结构、以及第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二栅极在所述第二半导体材料结构的与所述第二漏极相对的侧上；其中 所述场效应晶体管的所述第二漏极物理地安装并且电连接到所述III-N器件的所述第一源极；并且 通孔延伸穿过所述III-N材料结构的一部分并且终止于所述导电衬底，并且 金属层至少部分地形成在所述通孔中；其中 所述第一栅极通过形成在所述通孔中的所述金属层电连接到所述导电衬底。
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