上海华力微电子有限公司张立获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种键合设备的晶圆传送位置监控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111266558.0，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种键合设备的晶圆传送位置监控方法是由张立;赖朝荣设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种键合设备的晶圆传送位置监控方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种键合设备的晶圆传送位置监控方法，包括：提供两片晶圆；对其中一片晶圆的边缘进行修边处理，以在该片晶圆的边沿向内形成预定宽度的环形凹槽；在该片晶圆的环形凹槽所在表面生长氧化层且不覆盖环形凹槽；对氧化层进行化学机械研磨减薄及表面平整化处理；对减薄及表面平整化的氧化层进行表面清洗；在键合设备上将该片晶圆与另一片晶圆通过经清洗后的氧化层进行键合形成键合晶圆；对键合晶圆进行退火处理；对退火后的键合晶圆进行超声波扫描显微镜检测，通过键合晶圆的夹槽宽度是否相同，判断键合设备上传送的两片晶圆的相对位置是否发生偏移，以对键合设备的晶圆传送位置进行监控。本发明能够对键合设备的晶圆传送位置进行监控。
本发明授权一种键合设备的晶圆传送位置监控方法在权利要求书中公布了：1.一种键合设备的晶圆传送位置监控方法，其特征在于，包括： 提供两片晶圆； 对其中一片晶圆的边缘进行修边处理，以在该片晶圆的边沿向内形成预定宽度的环形凹槽； 在该片晶圆的环形凹槽所在表面生长氧化层且不覆盖环形凹槽； 对氧化层进行化学机械研磨减薄及表面平整化处理； 对减薄及表面平整化的氧化层进行表面清洗； 在键合设备上将该片晶圆与另一片晶圆通过经清洗后的氧化层进行键合形成键合晶圆； 对键合晶圆进行退火处理； 对退火后的键合晶圆进行超声波扫描显微镜检测，通过键合晶圆的夹槽宽度是否相同，判断键合设备上传送的两片晶圆的相对位置是否发生偏移，以对键合设备的晶圆传送位置进行监控；所述夹槽是指键合晶圆中形成有环形凹槽的晶圆的环形凹槽的内边线与另一片晶圆的外轮廓边沿之间的距离。
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