应用材料公司元泰京获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利形成薄膜晶体管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114008743B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080044698.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权形成薄膜晶体管的方法是由元泰京;崔寿永;任东吉;吴宗凯;李英东;桑杰·D·亚达夫;金正倍;王志远设计研发完成，并于2020-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成薄膜晶体管的方法在说明书摘要公布了：本文披露的实施方式大体涉及形成薄膜晶体管TFT的方法。所述方法包括形成一个或多个金属氧化物层和或多晶硅层。使用具有电感耦合等离子体ICP的高密度等离子体化学气相沉积HDP‑CVD工艺将栅极界面GI层沉积在一个或多个金属氧化物层和或多晶硅层之上。使用HDP‑CVD层沉积GI层致使其上沉积的金属氧化物层的迁移率出乎意料地增大。
本发明授权形成薄膜晶体管的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成薄膜晶体管的方法，包括： 在基板的第一部分之上形成金属氧化物层； 在所述金属氧化物层之上沉积栅极绝缘GI层，形成所述GI层包括通过使用电感耦合等离子体ICP的高密度等离子体化学气相沉积HDP-CVD工艺来沉积含硅层，所述HDP-CVD工艺具有： 2.3Wcm2至5.3Wcm2的ICP功率密度；和 2MHz至13.56MHz的ICP频率； 在所述GI层之上沉积主体GI层，其中沉积所述主体GI层包括使用电容耦合等离子体CCP的化学气相沉积CVD工艺； 在所述主体GI层之上形成栅极电极；和 蚀刻所述GI层和所述主体GI层的一个或多个残余部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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