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龙图腾网获悉克拉斯诺亚尔斯克水力发电厂股份公司申请的专利一种用于生产具有类钙钛矿结构的有机-无机金属卤化物化合物的半导体膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114008807B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080044875.5，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种用于生产具有类钙钛矿结构的有机-无机金属卤化物化合物的半导体膜的方法是由谢尔盖·阿纳托利耶维奇·法捷耶夫;A·B·塔拉瑟夫;N·A·贝利希;A·I·格里什科;娜塔莉亚·尼古拉耶芙娜·什伦斯卡娅;E·A·古地林;A·A·彼得洛夫设计研发完成，并于2020-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于生产具有类钙钛矿结构的有机-无机金属卤化物化合物的半导体膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及材料科学领域，特别地，涉及一种用于生产基于具有类钙钛矿结构的有机‑无机金属卤化物化合物的半导体材料的膜的方法，该膜可以用作包括薄膜太阳能电池、柔性太阳能电池和串联太阳能电池的太阳能电池中的光吸收层，以及可以应用于光电器件，特别是发光二极管。生产具有类钙钛矿结构的有机‑无机金属卤化物化合物的半导体膜的方法包括以下步骤：a将组分B的前体的层施加在基底上，b将复合试剂的层施加到组分B的前体的层的表面上，以及c在对于完成所施加的试剂和组分B的前体的化学反应所必需的并且足够的时间期间，通过试剂X2处理基底上的所施加的层，导致有机‑无机金属卤化物类钙钛矿化合物的形成，其特征在于，在步骤b中施加的复合试剂包含AX试剂和X2试剂的混合物，其中[X2][AX]的摩尔比率在0[X2][AX]1的范围内，并且在步骤b之后获得的膜包含具有类钙钛矿结构的相的晶种，其中组分B包含选自Pb、Sn、Bi及其混合物的不同金属包括Pb、Sn、Bi的阳离子Mn+，试剂AX是包含阳离子A+和阴离子X‑的盐；其中阳离子A+是选自甲基铵CH3NH3+、甲脒鎓NH22CH+、胍鎓CNH23+、Cs+、Rb+和未被取代的铵阳离子NH4+或包括单取代的或二取代的或三取代的或四取代的铵阳离子的被取代的铵阳离子、以及其组合的单电荷的有机或无机阳离子；并且阴离子X‑是选自Cl‑、Br‑、I‑或拟卤化物阴离子以及其组合的单电荷的阴离子；试剂X2是分子卤素。本发明提供了一种生产具有类钙钛矿结构的有机‑无机金属卤化物化合物的半导体膜的薄膜的更简单且更有效的方法，该薄膜可以用作钙钛矿太阳能电池的光吸收层并且确保与类似物相比其效率的增加。

本发明授权一种用于生产具有类钙钛矿结构的有机-无机金属卤化物化合物的半导体膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制备具有类钙钛矿结构的有机-无机金属卤化物化合物的半导体膜的方法，包括以下步骤： a将组分B的前体的层施加在基底上， b将复合试剂的层施加到所述组分B的前体的层的表面上，以及 c在对于完成所施加的试剂和所述组分B的前体的化学反应所必需的并且足够的时间期间，通过试剂X2处理在所述基底上的所施加的层，导致有机-无机金属卤化物类钙钛矿化合物的形成， 其特征在于，在所述步骤b中施加的所述复合试剂包含AX试剂和X2试剂的混合物，其中[X2][AX]的摩尔比率在0[X2][AX]1的范围内，并且在所述步骤b之后获得的膜包含具有类钙钛矿结构的相的晶种， 其中 所述组分B包含选自Pb、Sn、Bi以及其混合物的不同金属的阳离子Mn+， 所述试剂AX是包含阳离子A+和阴离子X-的盐，其中所述阳离子A+是选自甲基铵CH3NH3+、甲脒鎓NH22CH+、胍鎓CNH23+、Cs+、Rb+和未被取代的铵阳离子NH4+或包括单取代的或二取代的或三取代的或四取代的铵阳离子的被取代的铵阳离子、以及其组合的单电荷的有机或无机阳离子；并且所述阴离子X-是选自Cl-、Br-、I-或拟卤化物阴离子以及其组合的单电荷的阴离子， 所述试剂X2是分子卤素。

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