爱思开海力士有限公司李熙烈获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利存储器装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078525B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110318367.8，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权存储器装置及其操作方法是由李熙烈设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种存储器装置及其操作方法。所述存储器装置包括：存储块，所述存储块包括多个存储单元；以及外围电路，所述外围电路用于对所述存储块执行编程操作和擦除操作。通过使用空穴注入法来执行所述编程操作，并且通过使用电子充电法来执行所述擦除操作。在所述编程操作中当所述多个存储单元中的至少一些存储单元中的每一个的阈值电压降低到低于设定电平时，所述多个存储单元被编程，并且在所述擦除操作中当所述多个存储单元中的每一个的阈值电压增大到所述设定电平或更高电平时，所述多个存储单元被擦除。
本发明授权存储器装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，所述存储器装置包括： 存储块，所述存储块包括多个存储单元；以及 外围电路，所述外围电路被配置为对所述存储块执行编程操作和擦除操作，其中通过使用空穴注入法来执行所述编程操作，并且通过使用电子充电法来执行所述擦除操作， 其中，在所述编程操作中当所述多个存储单元中的至少一些存储单元中的每一个的阈值电压降低到低于设定电平时，所述多个存储单元被编程，并且在所述擦除操作中当所述多个存储单元中的每一个的阈值电压增大到所述设定电平或更高电平时，所述多个存储单元被擦除， 其中，在所述编程操作中，第一编程操作电压和第二编程操作电压被依次施加到与所述存储块联接的多条字线当中的选定字线，并且所述第一编程操作电压被施加到所述多条字线当中的未选字线，并且 其中，所述第一编程操作电压高于施加到与所述存储块联接的位线的电压。
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