台湾积体电路制造股份有限公司邱诗航获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078845B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110476181.5，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件和方法是由邱诗航;吴仲强;洪若珺;王唯诚;刘冠廷;徐志安设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和方法。公开了具有改进的栅极电极结构的半导体器件及其形成方法。在实施例中，一种半导体器件，包括：位于半导体衬底之上的栅极结构，栅极结构包括：高k电介质层；位于高k电介质层之上的n型功函数层；位于n型功函数层之上的抗反应层，抗反应层包括电介质材料；位于抗反应层之上的p型功函数层，p型功函数层覆盖抗反应层的顶表面；以及位于p型功函数层之上的导电帽盖层。
本发明授权半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 栅极结构，位于半导体衬底之上，所述栅极结构包括： 高k电介质层，所述高k电介质层在所述衬底之上延伸第一高度； n型功函数层，位于所述高k电介质层之上，所述n型功函数层在所述衬底之上延伸第二高度，所述第二高度小于所述第一高度； 抗反应层，位于所述n型功函数层之上，所述抗反应层包括电介质材料，所述抗反应层在所述衬底之上延伸所述第二高度； p型功函数层，位于所述抗反应层之上，所述p型功函数层覆盖所述抗反应层的顶表面，所述p型功函数层在所述衬底之上延伸第三高度，所述第三高度大于所述第二高度；以及 导电帽盖层，位于所述p型功函数层之上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励