台湾积体电路制造股份有限公司刘铭棋获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121903B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110228698.2，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法是由刘铭棋;张宇行;刘世昌设计研发完成，并于2021-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：提供一种深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法。所述方法包括在衬底中形成深沟槽，并且在深沟槽中以及在深沟槽之上形成层堆叠，所述层堆叠包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极板。在层堆叠之上形成接触级介电材料层，且形成穿过接触级介电材料层的接触通孔空腔。通过通过执行至少两次包括刻蚀掩模形成工艺及刻蚀工艺的处理步骤的组合而选择性地增加接触通孔空腔的相应的子集的深度来区分接触通孔空腔的深度。可在接触通孔空腔中的每一者内形成介电接触通孔衬垫与板接触通孔结构的组合。可通过相应的介电接触通孔衬垫将延伸穿过任何金属电极板的板接触通孔结构与此种金属电极板电隔离。
本发明授权深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种深沟槽电容器，包括： 至少一个深沟槽，从衬底的顶表面向下延伸；以及 层堆叠，包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极板；以及 板接触通孔结构，接触所述至少三个金属电极板中的相应一者的顶表面，其中： 所述层堆叠内的每一层包括位于所述至少一个深沟槽中的每一者内部的相应的垂直延伸部分及位于所述衬底的所述顶表面上方的相应的水平延伸部分； 主电极总成，包括选自所述至少三个金属电极板中的至少两个主金属电极板； 互补电极总成，包括选自所述至少三个金属电极板中的至少一个互补金属电极板； 所述层堆叠内的每一层具有包含在垂直平面内的相应的侧壁，所述垂直平面包括所述层堆叠的外周边的区段；且 所述板接触通孔结构包括凸出部分及柱状部分，所述凸出部分接触所述至少三个金属电极板中的相应一者且位于所述柱状部分之下，所述柱状部分具有比所述凸出部分更小的最大侧向尺寸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励