爱思开海力士有限公司李南宰获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110399181.X，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法是由李南宰设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。提供了一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：多个源极沟道，所述多个源极沟道穿透源极选择线；栅极层叠结构，该栅极层叠结构与源极选择线交叠；连接图案，该连接图案设置在源极选择线和栅极层叠结构之间，该连接图案共同连接到所述多个源极沟道；以及多个垂直沟道，所述多个垂直沟道穿透栅极层叠结构，所述多个垂直沟道共同连接到连接图案。
本发明授权半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 多个源极沟道，所述多个源极沟道穿透源极选择线； 栅极层叠结构，该栅极层叠结构与所述源极选择线交叠； 连接图案，该连接图案设置在所述源极选择线和所述栅极层叠结构之间，该连接图案共同连接到所述多个源极沟道；以及 多个垂直沟道，所述多个垂直沟道穿透所述栅极层叠结构，所述多个垂直沟道共同连接到所述连接图案， 其中，所述连接图案连续延伸经过所述多个源极沟道和所述多个垂直沟道，并且 其中，所述连接图案突出到所述多个垂直沟道中的每一个的中央区域中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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