中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心孙碧孺获国家专利权
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龙图腾网获悉中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心申请的专利一种多通道ADC测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114142857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111444444.0，技术领域涉及：H03M1/10；该发明授权一种多通道ADC测试方法是由孙碧孺;唐兴刚;张紫乾;张慧设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多通道ADC测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多通道ADC测试方法，包括以下步骤：S1、进行若干样品摸底测试；S2、统计单个通道合格率；S3、测量同批次剩余芯片；S4、不同批次芯片循环测试。本发明通过摸底‑统计‑循环测试方法，可以更科学高效地对多通道ADC进行测量，减少测试中的重复工作、提高测试效率、节约测试成本，增加了测试的准确性可靠性稳定性，及时总结排查问题，提高研发生产效率。摸底‑统计‑循环测试方法的测试结果可以在芯片研发生产的每个阶段发挥其意义。原理相似的芯片之间也可以通过摸底‑统计‑循环测试结果进行比较，排查问题改良设计，提高效率。
本发明授权一种多通道ADC测试方法在权利要求书中公布了：1.一种多通道ADC测试方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、进行若干样品摸底测试： 先选取同一批次多通道ADC的若干样品，对每个样品的每个通道的功能进行摸底测试； S2、统计单个通道合格率： 根据步骤S1的若干样品摸底测试结果，分别统计各单个通道合格率； S3、测量同批次剩余芯片： 利用摸底测试结果，按照优先测量通道合格率低的通道原则，顺序测试同批次剩余的多通道ADC芯片，遇到某一通道不合格时，该芯片不再进行下一通道的测试； S4、不同批次芯片循环测试： 记录步骤S2-S3测试结果后，根据测试情况对芯片进行改进提升，下一次流片后重复步骤S1-S3，记录新批次芯片情况，直至产品整体合格率满足批量生产条件； 步骤S1的摸底测试，采取不更换芯片、更换通道依次测试的方法，在芯片工作状态下不断电地更换通道进行采样。
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