铠侠股份有限公司吉水康人获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188344B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110606127.8，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法是由吉水康人;中木宽;中岛一明设计研发完成，并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供沟道的接触电阻低的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备多个第1布线层、第1柱、第2布线层、半导体含有层以及第1绝缘层。多个第1布线层在第1方向上层叠。第1柱在多个第1布线层的内部沿着第1方向延伸，且包含第1半导体层。第2布线层配置在第1半导体层的上端的上方，沿着与第1方向交叉的第2方向延伸。半导体含有层具有第1部分、第2部分以及第3部分。第1部分配置在第1半导体层的上端与第2布线层的底面之间。第2部分与第1部分相接，沿着第2布线层的侧面设置。第3部分与第2部分的上端相接，沿着与第1方向交叉的方向延伸。第1绝缘层配置在第1部分与第2布线层之间以及第2部分与第2布线层之间。第3部分的至少上表面含有金属。
本发明授权半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 多个第1布线层，其在第1方向上层叠； 第1柱，其在所述多个第1布线层的内部沿着所述第1方向延伸，包含第1半导体层； 第2布线层，其配置在所述第1半导体层的上端的上方，沿着与所述第1方向交叉的第2方向延伸； 半导体含有层，其具有第1部分、第2部分以及第3部分，所述第1部分配置在所述第1半导体层的上端与所述第2布线层的底面之间，所述第2部分与所述第1部分相接，沿着所述第2布线层的侧面设置，所述第3部分与所述第2部分的上端相接，沿着与所述第1方向交叉的方向延伸；以及 第1绝缘层，其配置在所述第1部分与所述第2布线层之间以及所述第2部分与所述第2布线层之间， 所述第3部分的至少上表面含有金属， 所述第3部分具有： 第1层，其包含多晶硅或者无定形硅；以及 第2层，其位于所述第1层的上方，包含硅化物。
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