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龙图腾网获悉塞姆西斯科有限责任公司申请的专利用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114599821B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080075316.0，技术领域涉及：C25D5/08；该发明授权用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配体是由安德烈亚斯·格莱斯纳;菲利普·恩格赛尔;哈罗德·奥科罗恩-施密特设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配体在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于对基底进行化学和或电解表面处理的工艺流体的分配体，一种用于在工艺流体中对基底进行化学和或电解表面处理的分配系统，一种用于在工艺流体中对基底进行化学和或电解表面处理的分配体或分配系统的用途，以及一种用于对基底进行化学和或电解表面处理的工艺流体分配方法。分配体包括：前端面，后端面，至少一个入口，出口阵列，以及流量控制阵列。前端面配置为朝向基底，用于基底的表面处理。后端面与前端面相对布置。入口配置为工艺流体进入分配体的入口。出口阵列包括多个出口，出口配置成用于将工艺流体从分配体中排出并朝向基底。流量控制阵列相对于工艺流体的流动，被设置在出口阵列的上游，并包括流量控制元件。

本发明授权用于对基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配体在权利要求书中公布了：1.一种用于对基底4进行化学和或电解表面处理的工艺流体6的分配体1，包括： -前端面2； -后端面3； -在前端面和后端面之间有一个中空的空间7； -至少一个入口5； -出口阵列20；以及， -流量控制阵列21； 其中，所述前端面2被配置为朝向所述基底4，用于所述基底4的表面处理； 其中，所述后端面3与所述前端面2相对设置； 其中，所述入口5被配置成用于使所述工艺流体6进入所述分配体1； 其中，所述出口阵列20包括多个出口8，所述出口被配置为将所述工艺流体6从所述分配体1中排出并朝向所述基底4； 其特征在于，所述流量控制阵列21相对于所述工艺流体6的流动，被设置在所述中空的空间7中，在所述出口阵列20的上游，且在所述至少一个入口5的下游， 所述流量控制阵列21包括多个流量控制元件30， 其中，所述出口阵列20的上游的多个流量控制元件30用于平衡电解液向所述出口阵列20的流动，所述平衡通过消除层流区实现，以及 所述多个流量控制元件30被排布为预设模式。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人塞姆西斯科有限责任公司，其通讯地址为：奥地利萨尔斯堡；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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