台湾积体电路制造股份有限公司江国诚获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628329B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210115479.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其制造方法是由江国诚;朱熙宁;陈冠霖;郑嵘健;王志豪;程冠伦设计研发完成，并于2022-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包括：设置在半导体衬底之上的有效沟道层的第一堆叠和有效沟道层的第二堆叠，其中该第二堆叠包括虚设沟道层，并且该第一堆叠没有任何虚设沟道层；与第一堆叠和第二堆叠接合的栅极结构；以及第一SD特征和第二SD特征，该第一SD特征被设置为与第一堆叠相邻，并且该第二SD特征被设置为与第二堆叠相邻，其中，第二SD特征与虚设沟道层交叠。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 有效沟道层的第一堆叠，设置在半导体衬底之上； 有效沟道层的第二堆叠，设置在所述半导体衬底之上； 虚设沟道层，设置在所述第二堆叠内，其中，所述第一堆叠没有任何虚设沟道层； 栅极结构，与所述第一堆叠和所述第二堆叠接合；以及 第一源极漏极和第二源极漏极，所述第一源极漏极被设置为与所述第一堆叠相邻，并且所述第二源极漏极被设置为与所述第二堆叠相邻，其中，所述第二源极漏极与所述虚设沟道层交叠。
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