天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司张宏杰获国家专利权
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龙图腾网获悉天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司申请的专利一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210187085.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺是由张宏杰;刘建伟;武卫;刘园;孙晨光;王彦君设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，步骤包括：多次对硅片执行酸洗和碱洗，其中，所有碱洗均在酸洗之间进行，且所有碱洗为连续设置。本发明一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，通过重新设计清洗工艺，并重新调整酸洗及碱洗成份，以彻底将硅片表面的金属离子清洗干净，同时将硅片表面上的机械损伤及其它颗粒杂质也一同去除，以保证硅片表面洁净度可达到65nm颗粒增长量≤60颗，使脏片率降低了0.3％。
本发明授权一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺在权利要求书中公布了：1.一种提高大尺寸抛光片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于，步骤包括：多次对硅片执行酸洗和碱洗，其中，所有碱洗均在酸洗之间进行，且所有碱洗为连续设置；其清洗步骤为：一次清洗、首次酸洗、二次清洗、首次碱洗、二次碱洗、三次清洗、二次酸洗、四次清洗、氧化清洗； 两次碱洗的药液均为氨水与双氧水的混合溶液；且首次碱洗的药液浓度较二次碱洗的药液浓度大30%； 首次碱洗的药液中，氨水与双氧水的体积比为1：2；其中，氨水为质量分数44-46%溶液，双氧水为质量分数30-32%溶液； 两次碱洗的清洗时间相同，均为250-350s；碱洗温度均为50-70℃； 一次清洗、二次清洗、三次清洗以及四次清洗的清洗液为纯水，氧化清洗的药液为臭氧水，氧化清洗时间与纯水清洗时间均为250-350s。
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