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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利基于籽晶诱导生长钙钛矿薄膜的反式太阳能电池制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649482B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210204922.9，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权基于籽晶诱导生长钙钛矿薄膜的反式太阳能电池制备方法是由王鹏久;杨旸设计研发完成，并于2022-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于籽晶诱导生长钙钛矿薄膜的反式太阳能电池制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于籽晶诱导生长钙钛矿薄膜的反式太阳能电池制备方法。本发明的籽晶溶液的化学通式为CsPbBr3DMSO，该籽晶溶液中包含着自分散的CsPbBr3小晶格或籽晶，可添加进入钙钛矿前驱体溶液中通过籽晶诱导生长制备钙钛矿薄膜。本发明可实现钙钛矿自下而上的结晶生长过程，实现大尺寸的贯穿晶；并有效抑制甲脒基钙钛矿在室温环境中易发生α光伏相转变为δ相，可得到长期稳定的钙钛矿薄膜。本发明还使用该籽晶溶液制备一种反式p‑i‑n结构的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其兼容于其他功能层中低温退火工艺，可以实现全过程低温化≦100℃制备反式钙钛矿太阳能电池。

本发明授权基于籽晶诱导生长钙钛矿薄膜的反式太阳能电池制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于籽晶诱导生长钙钛矿薄膜的反式太阳能电池制备方法，其特征在于，包括： S1、将CsPbBr3纳米晶体分散在二甲基亚砜溶剂中得到自分散籽晶溶液，将碘化铅PbI2和碘化甲脒FAI溶解于二甲基甲酰胺DMF溶液中得到FAPbI3前驱体溶液，将FAPbI3前驱体溶液与自分散籽晶溶液混合，形成含籽晶钙钛矿前驱体溶液，静置老化； 所述CsPbBr3纳米晶体的制备方法为：在充分搅拌状态下，将CsBr水溶液逐滴加入PbBr2的氢溴酸溶液中反应形成沉淀物，且全部滴加的CsBr水溶液中CsBr的摩尔量与PbBr2的氢溴酸溶液中PbBr2的摩尔量相同；固液分离后对沉淀物进行清洗和干燥，得到CsPbBr3纳米晶体； 所述自分散籽晶溶液中，CsPbBr3以微小晶格形式存在，其粒径分布为1~3nm； S2、在ITO衬底表面制备空穴传输层，所述空穴传输层的材料为PTAA或2PACZ，然后将静置老化后的含籽晶钙钛矿前驱体溶液成膜于空穴传输层之上形成钙钛矿薄膜，钙钛矿薄膜经过退火处理后作为吸光层； S3、将在吸光层上蒸镀C60材料，形成电子传输层； S4、在电子传输层上蒸镀浴铜灵BCP材料，形成空穴阻挡层； S5、在空穴阻挡层上蒸镀金属材料，形成背电极层。

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