株式会社斗山崔泰镇获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社斗山申请的专利半导体封装体用底部填充膜及利用其的半导体封装体的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110982614.4，技术领域涉及：H01L23/24；该发明授权半导体封装体用底部填充膜及利用其的半导体封装体的制造方法是由崔泰镇;李充九;朴守仁;李正进设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装体用底部填充膜及利用其的半导体封装体的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装体用底部填充膜及利用其的半导体封装体的制造方法，涉及通过包含熔体粘度和起始温度OnsetTemp.被调节至预定范围的粘接层而封装工序简化从而能够提高生产效率、且能够提高封装体的连接可靠性的半导体封装体用底部填充膜及利用其的半导体封装体的制造方法。所述半导体封装体用底部填充膜包含：基材；以及配置在所述基材的一面、150至160℃时的熔体粘度为300至1000Pa.s、且差示扫描量热分析仪DSC上起始温度为145±5℃的粘接层。
本发明授权半导体封装体用底部填充膜及利用其的半导体封装体的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装体用底部填充膜，其包含： 基材；以及 配置在所述基材的一面、150至160℃时的熔体粘度为300至1000Pa.s、且差示扫描量热分析仪DSC上起始温度为145±5℃的粘接层， 所述底部填充膜用于芯片布局方式，所述芯片布局方式为：拾取附着有所述粘接层的半导体芯片而附着于被贴合台支撑的封装体基板上， 拾取的所述半导体芯片与所述封装体基板的附着是在与所述粘接层的起始温度实质相同的贴合台的预热温度Ts和常温的贴片机头条件下实施， 所述粘接层为粘接树脂组合物的固化物或半固化物，所述粘接树脂组合物包含：a含有液态环氧树脂、苯氧树脂和多官能性环氧树脂的至少3种环氧树脂；b酸酐系固化剂；c含氮杂环化合物；以及d填料， 所述多官能性环氧树脂、苯氧树脂和液态环氧树脂的混合比率为4:3～4:2～3重量比率。
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