福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司林滨获国家专利权
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龙图腾网获悉福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利薄膜晶体管的制造方法、阵列基板以及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664948B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210283920.3，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管的制造方法、阵列基板以及显示装置是由林滨;席文星;付婉霞;郭航乐;余雪;林增杰设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管的制造方法、阵列基板以及显示装置在说明书摘要公布了：本发明涉及显示设备领域，提供了一种薄膜晶体管的制造方法、阵列基板以及显示装置，其中薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在基板上形成导电薄膜层；对导电薄膜层进行热处理；控制导电薄膜层的应力位于第一预设范围之内；在基板上形成绝缘层，绝缘层覆盖所述导电薄膜层；相比于现有技术，通过控制导电薄膜层的成型方法控制导电薄膜层的应力范围，从而使导电薄膜层的应力与绝缘层的应力相匹配，避免导电薄膜层和绝缘层之间出现鼓包；本发明还提供了一种阵列基板和显示装置；阵列基板包括薄膜晶体管；显示装置包括阵列基板；相比于现有技术，由于薄膜晶体管不出现鼓包现象，所以显示装置具有更好的显示效果。
本发明授权薄膜晶体管的制造方法、阵列基板以及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 在基板上形成导电薄膜层； 对所述导电薄膜层进行热处理；控制所述导电薄膜层的应力位于第一预设范围之内； 在所述基板上形成绝缘层；所述绝缘层覆盖所述导电薄膜层，所述绝缘层和所述导电薄膜层的应力差小于或等于700Mpa； 所述控制所述导电薄膜层的应力位于第一预设范围之内包括： 控制所述导电薄膜层的应力位于-200Mpa至100Mpa范围之内； 所述在所述基板上形成绝缘层，包括： 控制腔室压力在700-1000mtorr，通过低压化学气相沉积法在所述基板上形成绝缘层，所述绝缘层的应力范围为-1000Mpa至-500Mpa。
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