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龙图腾网获悉深圳市汇顶科技股份有限公司申请的专利CMOS成像传感器、FeMOSFET器件及相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792698B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111604595.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权CMOS成像传感器、FeMOSFET器件及相关方法是由高云飞;吴泰锡;萧锦文设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本CMOS成像传感器、FeMOSFET器件及相关方法在说明书摘要公布了：公开了一种CMOS成像传感器、FeMOSFET器件及相关方法。该CMOS成像传感器包括成像像素，该成像像素包括半导体衬底、光电传感器块和FeMOSFET器件。该Fe‑MOSFET器件诸如用于并入成像像素阵列的像素内电路系统中以提供重置和双转换增益特征。Fe‑MOSFET包括注入到半导体衬底中并通过沟道区分隔开的源极区和漏极区。源极区可以是光电传感器的浮置扩散区。栅极结构被沉积在衬底上、至少沟道区的正上方，并且隔离层形成在衬底的表面上以将栅极结构与至少沟道区电隔离。隔离层被分成可以被写成不同的极化状态以进行转换增益控制的铁电材料的Fe段和可以用于在沟道区中的电流沟道形成的介电段。

本发明授权CMOS成像传感器、FeMOSFET器件及相关方法在权利要求书中公布了：1.一种互补金属氧化物半导体CMOS成像传感器CIS，包括： 成像像素包括： 根据第一掺杂类型掺杂的半导体衬底； 光电传感器块，包括至少一个光电二极管，所述至少一个光电二极管被配置为响应于暴露于照射而积累光电载流子并将积累的光电载流子转移到浮置扩散区以供读出，所述浮置扩散区通过将第二掺杂类型的第一阱注入到所述半导体衬底中而被形成，所述第二掺杂类型不同于所述第一掺杂类型；和 混合铁电-金属-氧化物-半导体场效应晶体管Fe-MOSFET器件，包括： 漏极区，通过将第二掺杂类型材料的第二阱注入到所述半导体衬底中而被形成，所述漏极区与所述浮置扩散区通过沟道区分隔开； 栅极结构，沉积在所述半导体衬底上、至少在所述沟道区的正上方，并具有在其上图案化的栅极电极；和 栅极隔离层，形成在所述半导体衬底的表面上以将所述栅极结构与至少所述沟道区电隔离，所述栅极隔离层包括： Fe段，由铁电材料制成并夹在所述栅极结构和所述沟道区的与所述浮置扩散区相邻的第一沟道子区之间，所述Fe段被配置为在高转换增益模式和低转换增益模式之间切换；和 介电段，夹在所述栅极结构和所述沟道区的与所述漏极区相邻且不与所述第一沟道子区重叠的第二沟道子区之间。

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