索尼半导体解决方案公司井本努获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利光接收元件、成像元件和成像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930538B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180008885.8，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权光接收元件、成像元件和成像装置是由井本努设计研发完成，并于2021-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本光接收元件、成像元件和成像装置在说明书摘要公布了：该光接收元件包括传感器基板102和电路板101。传感器基板102设置有光接收区域103、一对电压施加电极以及入射面电极104。光接收区域103将入射光光电转换为信号电荷。该对电压施加电极交替地施加电压以在光接收区域103中生成对信号电荷进行时间划分并且将信号电荷分配至一对电荷累积电极的电场。入射面电极104设置在光接收区域的光入射面上并且被施加接地电位或接地电位以下的电压。电路板101设置在传感器基板102的与光入射面相对的表面上。电路板101设置有由电荷累积电极累积的信号电荷的像素晶体管。
本发明授权光接收元件、成像元件和成像装置在权利要求书中公布了：1.一种光接收元件，包括： 传感器基板，设置有： 光接收区域，将入射光光电转换为信号电荷； 一对电压施加电极，电压被交替地施加至所述一对电压施加电极以在所述光接收区域中生成对所述信号电荷进行时间划分并且将所述信号电荷分配至一对电荷累积电极的电场；以及 入射面电极，设置在所述光接收区域中的光的入射面上并且被施加等于或小于接地电位的电压；以及 电路板，设置有： 像素晶体管，设置在所述传感器基板的与所述光的所述入射面相对的表面上并且处理在所述电荷累积电极中累积的所述信号电荷， 其中，所述光接收区域包括信号提取部分，并且 其中，所述信号提取部分和所述像素晶体管设置在不同的堆叠基板上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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