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龙图腾网获悉浙江地芯引力科技有限公司申请的专利自校正运算放大器、可调节精度的模数转换器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114978175B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210515992.6，技术领域涉及：H03M1/10；该发明授权自校正运算放大器、可调节精度的模数转换器及电子设备是由黄胜;邹庆设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本自校正运算放大器、可调节精度的模数转换器及电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及自校正运算放大器、可调节精度的模数转换器及电子设备；其中，所述自校正运算放大器包括：第一子运算放大单元、第二子运算放大单元以及第三子运算放大单元；所述第一子运算放大单元与所述第二子运算放大单元相连接；所述第三子运算放大单元连接于所述第一子运算放大单元以及所述第二子运算放大单元之间；所述第二子运算放大单元和所述第三子运算放大单元分别通过多个有极性电容接地；所述第一子运算放大单元、所述第二子运算放大单元和所述第三子运算放大单元共同连接电源端电压。

本发明授权自校正运算放大器、可调节精度的模数转换器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种自校正运算放大器，其特征在于，包括： 第一子运算放大单元、第二子运算放大单元以及第三子运算放大单元； 所述第一子运算放大单元与所述第二子运算放大单元相连接； 所述第三子运算放大单元连接于所述第一子运算放大单元以及所述第二子运算放大单元之间； 所述第二子运算放大单元和所述第三子运算放大单元分别通过多个有极性电容接地； 所述第一子运算放大单元、所述第二子运算放大单元和所述第三子运算放大单元共同连接电源端电压； 所述第一子运算放大单元具体包括： 第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管； 所述第一PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极相连接，并且所述第一PMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极与所述第二PMOS管的漏极相连接； 所述第一PMOS管的栅极接输入电压信号； 所述第三PMOS管的栅极接输入电压信号； 所述第二PMOS管的源极接电源端电压； 所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极相连接； 所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极相连接并且共同接地； 所述第一NMOS管的漏极和栅极相连接，所述第二NMOS管的漏极和栅极相连接，并且所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的源极分别与所述第二子运算放大单元相连接，以及所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极分别与所述第三子运算放大单元相连接； 所述第三PMOS管的漏极与所述第三子运算放大单元相连接； 所述第三PMOS管的漏极与所述第二子运算放大单元相连接； 所述第三PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极相连接； 所述第一NMOS管的栅极以及所述第二NMOS管的栅极分别与所述第二子运算放大单元连接； 所述第三子运算放大单元具体包括： 第四PMOS管、第五PMOS管以及第六PMOS管； 所述第五PMOS管的源极和所述第六PMOS管的源极相连接且与所述第四PMOS管的漏极相连接； 所述第四PMOS管的源极接电源端电压； 所述第五PMOS管的栅极通过第一有极性电容接地； 所述第五PMOS管的栅极通过开关与所述第二子运算放大单元连接； 所述第六PMOS管的栅极通过第二有极性电容接地； 所述第六PMOS管的栅极与所述第二子运算放大单元相连接； 所述第五PMOS管的漏极以及所述第六PMOS管的漏极分别与所述第一子运算放大单元相连接； 所述第五PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极相连接； 所述第六PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极以及所述第二NMOS管的漏极相连接； 所述第二子运算放大单元具体包括： 第七PMOS管、第八PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管以及第六NMOS管； 所述第七PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的栅极相连接； 所述第七PMOS管的源极和所述第八PMOS管的源极接电源端电压； 所述第七PMOS管的漏极通过第一开关与所述第五PMOS管的栅极相连接； 所述第七PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极相连接； 所述第八PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极相连接； 所述第八PMOS管的漏极以及所述第四NMOS管的漏极通过第四有极性电容接地； 所述第八PMOS管的漏极以及所述第四NMOS管的漏极通过开关与所述第六NMOS管的栅极相连接； 所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极接电源端电压； 所述第三NMOS管的源极和所述第五NMOS管的漏极相连接； 所述第四NMOS管的源极和所述第六NMOS管的漏极相连接； 所述第五NMOS管的源极和所述第六NMOS管的源极相连接且接地； 所述第一NMOS管的栅极与所述第五NMOS管的栅极相连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第六NMOS管的栅极相连接。

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