洛克利光子有限公司余国民获国家专利权
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龙图腾网获悉洛克利光子有限公司申请的专利集成iii-V/硅光电子器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004085B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080095229.1，技术领域涉及：G02F1/025；该发明授权集成iii-V/硅光电子器件及其制造方法是由余国民;A·J·齐尔基设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成iii-V/硅光电子器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种光电子器件。所述光电子器件包括：绝缘体上硅平台，所述绝缘体上硅平台包括：位于所述平台的硅器件层内的硅波导；衬底；以及位于所述衬底与所述硅器件层之间的绝缘体层；以及基于III‑V半导体的器件，所述基于III‑V半导体的器件位于所述绝缘体上硅平台的腔体内并且包括耦合到所述硅波导的基于III‑V半导体的波导；其中所述基于III‑V半导体的器件包括加热器和连接到所述加热器的一个或多个电迹线，其中所述一个或多个电迹线从所述基于III‑V半导体的器件延伸到所述绝缘体上硅平台上的相应接触垫。
本发明授权集成iii-V/硅光电子器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光电子器件，其包括： 绝缘体上硅平台，所述绝缘体上硅平台包括： 位于所述平台的硅器件层内的硅波导；衬底；以及位于所述衬底与所述硅器件层之间的绝缘体层；以及 基于III-V半导体的器件试件，所述基于III-V半导体的器件试件位于所述绝缘体上硅平台的腔体内并且包括耦合到所述硅波导的基于III-V半导体的波导，其中基于III-V半导体的波导包括n掺杂层和p掺杂层并且是弯曲的使得基于III-V半导体的波导的输入和输出部分邻接腔体的同一侧壁； 其中所述基于III-V半导体的器件试件包括 加热器，其位于临近基于III-V半导体的弯曲的波导、沿着其内侧区域并且与其相距3μm至6μm； 连接到所述加热器的一个或多个电迹线，其中所述一个或多个电迹线从所述基于III-V半导体的器件试件延伸到所述绝缘体上硅平台上的相应接触垫； n电极，其连接到n掺杂层，且 p电极，其连接到p掺杂层，且 其中，连接到所述加热器的所述一个或多个迹线远离n电极和p电极并且与电连接到所述基于III-V半导体的器件中的一个或多个电光活性组件的一个或多个迹线侧向间隔开。
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