长江先进存储产业创新中心有限责任公司鞠韶复获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利具有凹槽式沟道晶体管的存储器外围电路及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280001929.9，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权具有凹槽式沟道晶体管的存储器外围电路及其形成方法是由鞠韶复;甘程设计研发完成，并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有凹槽式沟道晶体管的存储器外围电路及其形成方法在说明书摘要公布了：在某些方面中，一种存储器器件包括存储器单元阵列和耦接到存储器单元阵列的多个外围电路。外围电路包括第一外围电路，第一外围电路包括凹槽式沟道晶体管。凹槽式沟道晶体管包括：具有凹槽的阱；凹槽栅极结构，突出到阱的凹槽中并且包括栅极电介质以及栅极电介质上的栅极电极；以及源极和漏极，由凹槽栅极结构间隔开。源极或漏极中的至少一个包括与栅极电介质接触的第一区域，以及具有比第一区域高的掺杂浓度的第二区域。
本发明授权具有凹槽式沟道晶体管的存储器外围电路及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 存储器单元阵列；以及 多个外围电路，所述多个外围电路耦接到所述存储器单元阵列，所述外围电路包括第一外围电路，所述第一外围电路包括凹槽式沟道晶体管，所述凹槽式沟道晶体管包括： 具有凹槽的阱； 凹槽栅极结构，所述凹槽栅极结构突出到所述阱的所述凹槽中并且包括弯曲的栅极电介质以及所述栅极电介质上的栅极电极，其中，所述栅极电介质包括侧部和底部； 间隔体结构，所述间隔体结构在所述栅极电极的侧壁上；以及 源极和漏极，所述源极和所述漏极由所述凹槽栅极结构间隔开，其中，所述源极或所述漏极中的至少一个包括与所述栅极电介质的所述侧部接触的第一区域、以及具有比所述第一区域高的掺杂浓度的第二区域，其中，所述第二区域包括在所述间隔体结构的底表面之上并且与所述间隔体结构的侧壁接触的升高部分作为第一部分、以及在所述间隔体结构的所述底表面之下且不与所述栅极电介质接触的第二部分。
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