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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种HEMT与蓝光LED单片集成芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064563B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210749251.4，技术领域涉及：H10H29/10；该发明授权一种HEMT与蓝光LED单片集成芯片及其制备方法是由赵丽霞;齐培粤;曹玉飞设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种HEMT与蓝光LED单片集成芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造技术领域，本发明公开了一种HEMT与蓝光LED单片集成芯片及其制备方法。本发明所述集成芯片包括在衬底上生长HEMT外延层和LED外延层；对上述结构进行刻蚀得到HEMT区域和LED区域；在HEMT区域制备源极、漏极、栅极；在LED区域制备透明导电层、电流阻挡层、镜面反射层、N型电极、P型电极，并通过金属桥将HEMT和LED连接；本发明通过HEMT的控制，进行对LED的驱动，由电流控制转变为电压控制，通过共享同一材料平台的单片集成，可以大大降低照明系统的制造成本和尺寸，减小寄生效应，为功能性和稳定性双优异的集成芯片的研究奠定了基础。

本发明授权一种HEMT与蓝光LED单片集成芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种HEMT与蓝光LED单片集成芯片制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：提供蓝宝石衬底，在衬底上生长HEMT外延层和LED外延层，形成HEMT-LED结构；所述HEMT结构自下而上由蓝宝石衬底、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层组成；所述LED结构自下而上由AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、N-GaN层、InGaNGaN多量子阱层、P-GaN层组成； S2：对所述HEMT-LED外延结构进行清洗、光刻、ICP刻蚀，得到HEMT区域和LED区域； S3：在LED区域上通过PECVD沉积SiO2形成电流阻挡层和金属桥台阶； S4：在LED区域上顺次进行ITO蒸镀和退火处理； S5：对HEMT区域进行清洗、光刻、ICP刻蚀，在HEMT区域和LED区域制备源电极、漏电极N电极、P电极； S6：在HEMT区域上制备栅电极，随后通过PECVD沉积SiO2进行钝化，形成钝化层，得HEMT-LED外延片； S7：减薄HEMT-LED外延片的衬底； S8：背面蒸镀DBR反射层，得到HEMT与蓝光LED单片集成芯片； 所述集成芯片包括HEMT区域和LED区域，所述HEMT区域自下而上包括DBR反射层、衬底、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、SiO2钝化层及HEMT电极层；所述HEMT电极层包括源电极、漏电极及栅电极；所述LED区域自下而上包括DBR反射层、衬底、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、N-GaN层、InGaNGaN多量子阱层、P-GaN层、电流阻挡层、透明导电层、钝化层、N电极和P电极；所述HEMT区域的漏电极通过金属桥与LED区域的N电极相连，以实现HEMT区域与LED区域的电学导通。

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